或許對您有用的技術：各種常見型號二極元和三極元的變容特性
變成活生生的
從構思、製作到測量，閱讀這篇文章可能需要您具備一定的模擬電路知識。
閱讀這篇文章可能需要幾分鐘，但應該能夠讓你獲得所需的知識。過多的理論公式可能會導致出現口眼歪斜等症狀，我知道，因此這篇文章更偏向實際應用。
我最初的想法是在2019年，但因為學業上的原因，延遲了四年的時間。歡迎大家提出批評和建議！
不定期發行各種型號的二極體和三極體。
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開頭
總是要自己製作 VCO 之類的吧 [Doge]，那就有可能用到變容二極體。
這種生物，我們必須避免接觸！二極管是最早出現的一種半導體元件，也是最常見的。最便宜！其中一種器件，我們都知道它具有單向導電性，但本文討論的是另一個特性——「二極體電容」。在PN結兩端總是會等效一個串聯的電容器，此電容與二極管兩端的電壓有關，當反向電壓越高，勢壘層越厚，二極體電容就越小……利用這個特性，變容二極管就出現了。本文不做過多的原理性講解，以實務技術為主。
雖然現在市場上的變容二極體（以下簡稱：變容管）都比較便宜了，像是BB112、1SV2638等等，價格都只有幾分錢一個。如果要求一致性好，請購買專用的變容管！說實話，成品變容管真的很好用，便宜又好，還要費盡心思呢？！但就是有點不方便，要用常見的開關管和整流管來當變容管使用。只要是等效為一個二極體就可以，例如TVS、BJT的一個結、JFET的結等等，反正只要有PN結或PIN都可以（樂）。
那麼問題來了，該如何測量這個小電容呢（從幾pF到幾百pF）？ 常用的電橋可能無法勝任這項任務，但這些變容電容通常被應用於本振、高增益、調諧等地方。 因此，我們可以模擬使用情況，搭建一個LC迴路！！！ 此外，我們還不知道電感是否符合標準（還要考慮溫度漂移和自身參數），那就可以直接購買一個標準電感！！！ 看看價格後（一臉懵），嗯…好吧，還是先嘗試製作一個不太會變動的電感，然後測量精確值，或者使用消除誤差的方法更可行！？！
本次實驗的計畫
建立一個 LC 振盪器，假設 L 的變化非常小或幾乎沒有變化，使用 NanoVNA 測量出振盪頻率 f 後再反推電容 C，並利用…
f = \frac{1}{2π√(L*C)}
改變變容管兩端的反向電壓 Vr (通常為 1V 到 10V)，進一步可以獲得變容管的可變範圍和變比。
提出幾個實際問題
1、關於電感：電感的等效是 R 連 L 再並 C，因此自身電阻 R 主要影響的是 Q 值，與放大器有關，所以沒有太大關係。在這裡，有害的是分布電容 Cl’，這個電容通常只有幾個 pF，但只要不更換電感，我們只需要一個精度稍微高一點的電容就可以反算出來，透過加減法消除誤差即可。空芯電感最好加上屏蔽罩，但分布電容會變大，可以使用閉合磁路電感來減少影響（磁環），線盡量粗一些，以減少發熱導致溫漂（當然也可以開冷氣吹這個電感，看你喜歡怎麼樣）。
2、關於電容：電容可以視為 RLC 元件，但在此我們並非在進行科學儀器的研究，因此將其視為理想的電容。
3、關於 PCB 的分布參數：頻率在 MHz 級別，頻率不高，與電容一樣，各種導線的分布參數均計算在誤差範圍內，無需深入研究。
4、關於阻抗匹配：只要能產生可觀測的訊號即可，這裡做匹配顯得不重要，但如果想要更專業一點，還是可以匹配50歐姆。
5、關於儀器：Nano機內有TCXO（溫度補償晶體震盪），從實用性來說，我覺得足夠了，但如果想要更高級的，可以使用專業的頻譜儀或向量網路分析儀，但我認為沒有必要。另一個比較簡單的方案是購買一個OCXO（恆溫晶體震盪），利用OCXO產生的基本頻率和自己的振盪器來測量輸出頻率進行混頻，這樣就可以製作收訊機了！
6、關於精確度：想要提高？沒問題！但需要額外費用。這個實驗的誤差盡量小即可，至於多少，則取決於個人判斷，或許能達到 J 級（±5%）或 M 級（±20%）？都可以使用，用於變容管設計總會有可調整的元件~~~
在考慮實際問題後進行的調整
綜上所述，標準元件——價格高！ 搭建震盪電路——麻煩！ 因此，考慮到可以直接測量的方法，如圖所示：
T1-T2 可以是 Nano 的測量端口，也可以是橋式電路的測量端口，無論哪一種，都是測量端。
C1 使用一個 10μF (50V X7R) 電容。
D1 是待測的二極體（圖中為常見的4148）。
R1-R2 都是限流電阻，同時將測量電路與直流電源隔離。
簡單分析如下：這個電路實際上，C1與D1的共二極電容Cd呈現串聯關係。通常使用的管子共二極電容不會超過200pF吧（僅憑經驗猜測），因此假設管子的最大反向電容為200pF，那麼10μF與200pF串聯後=199.996pF，可見這個誤差遠遠小於其他誤差，共二極電容越小時反而更精確！這有理論根據！開始實踐！
實踐製作
首先完成必要的準備工作。由於其他軟體可能涉及版權問題，因此還是使用 Excel 製作圖表吧。以下圖只是個範例：
後續將採用這種圖表，來展示各管道的變容特性。
鑑於一般的變容管都是在1 MHz 下測量，因為頻率不同會導致電容值不同，因此我同樣採用 1 MHz 的頻率來測量。 使用 Nano 來測量，可以改變頻率，S11 端口也可以測得當前頻率的 rs（等效串聯電阻），這可以用來計算 Q 值（雖然有點用？）。
接下來，我會使用 Nano 工具來簡單地查看 S11 的端口屬性。
連接 22pF 電容：
連接 1000pF 電容：
看起來相當符合預期，可以畫一個治具板。
這樣可以測到貼片和直插的效果，然後再進行穩壓電源的測試並記錄數據。
測試數據
又過了不知多久的日子。在獲得板子後，進行實際測量時：
以下，我們先簡單測試發布兩個：
尚未完結，敬請期待…
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